3奈米晶片准备量产 台积创新制程 创造客户价值

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晶圆代工龙头台积电1987年推出3微米技术以来，直到今年，准备量产3奈米制程技术，过去半导体制程依循摩尔定律发展，如今先进制程推进，更重视效能、功耗效率、与面积密度的向上提升。台积电透过设计技术协同优化，加速先进制程创新。

台积电先进技术业务开发处资深处长袁立本在部落格提及，业界依循电晶体尺寸微缩法则，过去带领台积电将每个世代技术的效能、功耗效率与面积密度，不断向上提升，这条路，会继续走下去，也会探索其他新的领域。

另一项重要的DTCO解决方案，是设计与制程技术寻求整合式的优化，来改善效能、功耗效率、电晶体密度，以及成本。DTCO果实绝非唾手可得，制程研发团队与设计研发团队，一开始就须携手合作，针对下一世代技术的定义，进行设计技术协同优化，两团队须保持开放心态，探索设计创新与制程能力的可能性。

举例来说，7奈米就是DTCO优化成功的明证之一。台积电在16奈米率先采用鳍式场效，提供优于平面式电晶体驱动强度；迈入7奈米时，通用型鳍式栅格也许不是最佳选择，因此在进行DTCO探索时，推出特殊型鳍式栅格的概念，创造了优化标准元件鳍片置放的灵活性，并将寄生电容和电阻降到最低。

相较前一世代制程，台积电能使用更少鳍数量，达到所需效能，同时提升密度。相较10奈米，DTCO让7奈米制程逻辑密度增加超过1.6倍，速度增快约20％，功耗降低约40％，首次在开放平台上，提供半导体产业最先进的逻辑制程。7奈米制程已进入量产的第四年，需求依旧强劲。

袁立本指出，7奈米制程上减少鳍数量，是台积电在最近几世代制程中，实现DTCO诸多创新范例之一，DTCO涵盖所有台积电提升技术价值的创新，包括逻辑、SRAM、类比及输入输出等。也将持续与客户进行DTCO的合作，进一步强化技术，并协助客户获取产品最大价值，推动产业前进。

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